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UNR412100A

  • 厂家：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Pr
  • 封装：NS-B1
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
  • PDF：UNR412100A

UNR412100A

  • 包装

    带盒（TB） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP - 预偏压

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    2.2k

  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)

    2.2k

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    40 @ 100mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    250mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    1μA

  • 频率 - 跃迁

    200MHz

  • 功率 - 最大值

    300mW

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    3-SIP

  • 产品简介说明

    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

  • 产品描述备注

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