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TK100L60W,VQ

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：TO-3P（L）
  • 批号：--
  • 数量：319 - 立即发货
  • 价格：218.400
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    超级结

  • 漏源极电压 (Vdss)

    600V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    100A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    18 毫欧 @ 50A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3.7V @ 5mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    360nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    15000pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    797W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-3PL

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

  • 产品描述备注

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