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STE110NS20FD

  • 厂家：STMicroelectronics
  • 封装：ISOTOP®
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：STE110NS20FD

STE110NS20FD

  • 包装

    管件

  • 系列

    MESH OVERLAY??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    110A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    24 毫欧 @ 50A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    504nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    7900pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    500W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    ISOTOP

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

  • 产品描述备注

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