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SSM3J35MFV(TL3,T)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：VESM
  • 批号：--
  • 数量：8,000 - 立即发货
  • 价格：0.350
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SSM3J35MFV(TL3,T)

SSM3J35MFV(TL3,T)

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，1.2V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    100mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    8 欧姆 @ 50mA，4V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    12.2pF @ 3V

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-723

  • 产品简介说明

    MOSF P CH 20V 100MA VESM

  • 产品描述备注

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