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SIA921EDJ-T1-GE3

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装:PowerPAK® SC-70-6 双
  • 批号:--
  • 数量:26 - 立即发货
  • 价格:询价
  • 类型:FET - 阵列
  • PDF:SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 P 沟道(双)

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    4.5A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    59 毫欧 @ 3.6A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    1.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    23nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    7.8W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SC-70-6 双

  • 产品简介说明

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

  • 产品描述备注

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