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QSZ1TR

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.248
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列
  • PDF：QSZ1TR

QSZ1TR

  • 包装

    *

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN，PNP（耦合发射器）

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    2A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    15V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    180mV @ 50mA，1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    270 @ 200mA，2V

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 频率 - 跃迁

    360MHz

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    TRANS NPN/PNP 15V 2A 5TSMT

  • 产品描述备注

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