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PBSS5130QAZ

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.684
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ

  • 包装

    *

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    1A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    30V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    240mV @ 100mA，1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    130 @ 1A，2V

  • 功率 - 最大值

    325mW

  • 频率 - 跃迁

    170MHz

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

  • 产品描述备注

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