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PBSS4350SSJ

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：8-SO
  • 批号：--
  • 数量：4,941 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列
  • PDF：PBSS4350SSJ

PBSS4350SSJ

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    2 NPN（双）

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    2.7A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    340mV @ 270mA，2.7A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    300 @ 1A，2V

  • 功率 - 最大值

    750mW

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR NPN/PNP 50V 8SOIC

  • 产品描述备注

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