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PBLS2002D,115

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：6-TSOP
  • 批号：--
  • 数量：1,570 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
  • PDF：PBLS2002D,115

PBLS2002D,115

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    1 NPN 预偏压式，1 PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    100mA，1A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V，20V

  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    4.7k

  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)

    4.7k

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    30 @ 10mA，5V / 220 @ 500mA，2V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    150mV @ 500μA， 10mA / 280mV @ 100mA， 1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    1μA， 100nA

  • 频率 - 跃迁

    185MHz

  • 功率 - 最大值

    600mW

  • 产品简介说明

    TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP

  • 产品描述备注

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