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NSS40302PDR2G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：8-SOIC N
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.929
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列
  • PDF：NSS40302PDR2G

NSS40302PDR2G

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN，PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    3A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    40V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    115mV @ 200mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    180 @ 1A，2V

  • 功率 - 最大值

    653mW

  • 频率 - 跃迁

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC

  • 产品描述备注

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