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MSD601-RT1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：SC-59
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：MSD601-RT1G

MSD601-RT1G

  • 包装

    剪切带 （CT）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    500mV @ 10mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    210 @ 2mA，10V

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 产品简介说明

    TRANS GP NPN 100MA 50V SC59

  • 产品描述备注

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