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您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

  • 厂家：IXYS
  • 封装：ISOPLUS-DIL™
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    6 N-沟道（3 相桥）

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    55V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    160A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    3 毫欧 @ 100A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    90nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    ISOPLUS-DIL?

  • 产品简介说明

    IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL

  • 产品描述备注

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