托盘
eGaN?
GaNFET N 通道,氮化镓
逻辑电平门
65V
4.1A (Tc)
138 毫欧 @ 500mA, 5V
2.5V @ 250μA
0.380nC @ 32.5V
47pF @ 32.5V
-
表面贴装
模具
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
MIC59150YME TR
DSEI2X61-02A
TLC1549IP
NC7SZ175P6X