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BU808DFI

  • 厂家：STMicroelectronics
  • 封装：ISOWATT-218
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：BU808DFI

BU808DFI

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    8A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    700V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    1.6V @ 500mA，5A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    400μA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    60 @ 5A，5V

  • 功率 - 最大值

    52W

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    ISOWATT-218-3

  • 产品简介说明

    IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

  • 产品描述备注

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