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BC879,112

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：TO-92-3
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：BC879,112

BC879,112

  • 包装

    散装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    1A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    80V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    1.8V @ 1mA，1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    2000 @ 500mA，10V

  • 功率 - 最大值

    830mW

  • 频率 - 跃迁

    200MHz

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-226-3、TO-92-3 标准主体

  • 产品简介说明

    TRANS DARL NPN 80V 1A TO-92

  • 产品描述备注

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