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2SK879-GR(TE85L,F)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：USM
  • 批号：--
  • 数量：2,976 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源极电压 (Vdss)

    -

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    2.6mA @ 10V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    400mV @ 100nA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    8.2pF @ 10V

  • 电阻 - RDS（开）

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70，SOT-323

  • 功率 - 最大值

    100mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH USM

  • 产品描述备注

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