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2SK3666-2-TB-E

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：3-CP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.551
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    600μA @ 10V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    10mA

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    180mV @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    4pF @ 10V

  • 电阻 - RDS（开）

    200 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 10MA 200MW CP

  • 产品描述备注

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