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2SD1816S-E

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：TP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：2.576
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：2SD1816S-E

2SD1816S-E

  • 包装

    散装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    4A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    100V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    400mV @ 200mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    70 @ 500mA，5V

  • 功率 - 最大值

    1W

  • 频率 - 跃迁

    180MHz

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

  • 产品简介说明

    TRANS NPN BIPO 4A 100V TP

  • 产品描述备注

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