您好，欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线：0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> 2SA965-Y(TE6,F,M)

2SA965-Y(TE6,F,M)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：LSTM
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.367
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：2SA965-Y(TE6,F,M)

2SA965-Y(TE6,F,M)

  • 包装

    带盒（TB）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    800mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    120V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    1V @ 50mA，500mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    120 @ 100mA，5V

  • 功率 - 最大值

    900mW

  • 频率 - 跃迁

    120MHz

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-226-3、TO-92-3 长体

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR PNP 120V 0.8A TO-92

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服